主營:濺射靶材,鍍膜靶材,金屬靶材,旋轉靶材,平面靶材
所在地:
廣東 廣州
產品價格:
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1
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發(fā)布時間:
2024-07-31
有效期至:
2025-09-14
產品詳細
隨著石墨加工技術的提高,石墨靶材興起,石墨靶材也會被應用在更加廣闊的領域中,在市場中,優(yōu)質石墨靶材主要來源日本、德國、美國,不僅是在靶材行業(yè),在石墨行業(yè)我們這些國家的差距還是很大的。在靶材行業(yè)中,我們常見到的有金屬靶材、陶瓷靶材、合金靶材、這些在靶材在微電子、顯示器、儲存等行業(yè)有著廣泛的應用。石墨靶材自身具有耐高溫、自潤滑、耐腐蝕、導電性良好等特點,用石墨做靶材,根據(jù)行業(yè)的不同選用不同材質的石墨材料,在選材上市重要的環(huán)節(jié),然后就要考慮石墨靶材加工中的技術問題,靶材材質的要求很嚴格,對加工技術的要求同樣是一絲不茍的。石墨靶材的精度和誤差都是重要的因素。UVTM為客戶提供各種稀有金屬靶材,多種材料合金靶材,陶瓷靶材,粉末和顆粒靶材,主要有鉻、鈦、不銹鋼、硅、鉬、錫、石墨、ITO、鎳鉻、鈦鋁、鉻銅邦定等靶材。 濺射靶材磁控濺射原理:在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場,在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣),磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場,同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下,Ar氣電離成正離子和電子,靶上加有一定的負高壓,從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率加大,在陰極附近形成高密度的等離子體,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,以很高的速度轟擊靶面,使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種:支流濺射和射頻濺射,其中支流濺射設備原理簡單,在濺射金屬時,其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛。除可濺射導電材料外,也可濺射非導電的材料,同時還司進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射,目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。 目前,國內靶材廠商主要聚焦在低端產品領域,在半導體、平板顯示器和太陽能電池等市場還無法與國際巨頭一體競爭。依靠國內的巨大市場潛力和利好的產業(yè)政策,以及產品價格優(yōu)勢,它們已經(jīng)在國內市場占有一定的市場份額,并逐步在個別細分領域搶占了部分國際大廠的市場空間。 UVTM可提供硅材料等,硅靶材和晶圓的直徑可達18英寸。目前,硅晶圓主流尺寸為8英寸、12英寸。UVTM的硅靶材作為應用于手機玻璃蓋板的重要靶材產品,已獲得多家手機玻璃蓋板生產客戶的認可,并已實現(xiàn)批量供貨。色彩一直是時尚設計的熱點,而手機配色也是F設計師們設計的重點之一。5G時候手機后蓋去金屬化,然而不管是玻璃、陶瓷、塑膠材質的手機外觀結構件,F(xiàn)設計師們都會考慮酷炫紋理、金屬質感、亮銀色、陶瓷光澤、漸變色等效果,而這些良好的裝飾效果都離不開PVD真空鍍膜。金屬中框也需要和后蓋保持同樣炫麗的外觀,iPhoneXS金色及太空灰色系列不銹鋼中框就是采用的PVD色彩工藝。 近10年來,濺射技術更是取得了突飛猛進的發(fā)展。目前靶材常應用于太陽能薄膜電池領域,而HIT作為PERC(鈍化發(fā)射極及背局域接觸電池)未來的替代技術,有望實現(xiàn)大規(guī)模量產,從而帶動靶材需求。光伏薄膜電池用靶材主要為方形板狀,純度要求一般在99.99%(4N)以上,僅次于半導體用靶材。目前制備薄膜電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。其中鋁靶、銅靶用于導電層薄膜,鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜,ITO靶、AZO靶用于透明導電層薄膜。自20世紀80年代,以集成電路、信息存儲、液晶顯示器、激光存儲器、電子控制器為主的電子與信息產業(yè)開始進入高速發(fā)展時期,用真實進入工業(yè)化規(guī)模生產應用領域。 氮化物是在電子和光電子應用方面有較大潛力的新型半導體材料,它在室溫下具有高電子遷移率和良好導電性的優(yōu)勢。是目前大部分國家半導體研究的****和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質和強的抗輻照能力。朝純金屬靶材。光伏領域對靶材的使用主要是薄膜電池和HIT光伏電池。太陽能電池主要包括晶硅電池和薄膜電池,靶材主要應用于薄膜太陽能電池的背電極環(huán)節(jié)以及HIT(異質結)電池的導體層。晶體硅太陽能電池按照生產工藝不同可分為硅片涂覆型太陽能電池以及PVD工藝高率硅片太陽能電池,其中硅片涂覆型太陽能電池的生產不使用濺射靶材。 中國濺射靶材行業(yè)市場數(shù)據(jù)顯示:靶材在半導體材料中占比約為2.5-3%。由于半導體濺射靶材市場與晶圓產量存在直接關系,以中國大陸晶圓廠產能占大部分國家比例為15%計算,2019年中國半導體濺射靶材市場約1.7億美元。隨著晶圓廠產能向中國轉移,半導體用靶材市場將達到1.5億美元。同比增長25%。靶材,特別是高純度濺射靶材應用于電子元器件制造的物理-氣相沉積工藝(PVD)、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。所謂濺射,是制備薄膜材料的主要技術,也是PVD的一種。它通過在PVD設備中用離子對目標物進行轟擊,使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出,從而在晶圓表面沉積,濺鍍形成金屬薄膜,其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料。
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